MTW26N15E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW26N15E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTW26N15E
MTW26N15E Datasheet (PDF)
mtw26n15e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW26N15E/DDesigner's Data SheetMTW26N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.095 OHMenergy in
mtw26n15erev2.pdf
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Liste
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