MTW26N15E Todos los transistores

 

MTW26N15E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTW26N15E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO-247AE

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MTW26N15E datasheet

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MTW26N15E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW26N15E/D Designer's Data Sheet MTW26N15E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.095 OHM energy in

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MTW26N15E

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History: BLF7G27LS-90P

 

 

 

 

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