MTW26N15E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTW26N15E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
trⓘ - Время нарастания: 116 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
MTW26N15E Datasheet (PDF)
mtw26n15e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW26N15E/DDesigner's Data SheetMTW26N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.095 OHMenergy in
mtw26n15erev2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW26N15E/DDesigner's Data SheetMTW26N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.095 OHMenergy in
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918