Справочник MOSFET. MTW26N15E

 

MTW26N15E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW26N15E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 116 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW26N15E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW26N15E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  motorola
 mtw26n15e.pdf pdf_icon

MTW26N15E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW26N15E/DDesigner's Data SheetMTW26N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.095 OHMenergy in

 0.1. Size:160K  motorola
 mtw26n15erev2.pdf pdf_icon

MTW26N15E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW26N15E/DDesigner's Data SheetMTW26N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 26 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.095 OHMenergy in

Другие MOSFET... MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , TK10A60D , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E .

History: HY3712M | QM0016S | SL80N10 | IPB180N06S4-H1 | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.