MTW33N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW33N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MTW33N10E MOSFET
MTW33N10E Datasheet (PDF)
mtw33n10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW33N10E/DDesigner's Data SheetTMOS E FET.MTW33N10EPower Field Effect TransistorMotorola Preferred DeviceTO 247 with Isolated Mounting HoleN-Channel Enhancement-Mode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. T
mtw33n10erev0.pdf
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History: LSH50R160HT | BLF7G27LS-150P | IRF7309TRPBF | APTC60DDAM45CT1G | 2SK3340-01 | APTC60HM70SCTG | WMB119N12LG4
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Liste
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