MTW33N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW33N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW33N10E datasheet
mtw33n10e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW33N10E/D Designer's Data Sheet TMOS E FET. MTW33N10E Power Field Effect Transistor Motorola Preferred Device TO 247 with Isolated Mounting Hole N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E-FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. T
mtw33n10erev0.pdf
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History: 2SK3443
History: 2SK3443
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