MTW33N10E Todos los transistores

 

MTW33N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW33N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

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MTW33N10E Datasheet (PDF)

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MTW33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW33N10E/DDesigner's Data SheetTMOS E FET.MTW33N10EPower Field Effect TransistorMotorola Preferred DeviceTO 247 with Isolated Mounting HoleN-Channel Enhancement-Mode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. T

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MTW33N10E

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History: RSJ400N10 | ME70N03S-G | 7N80G-TF3T-T | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02

 

 
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