MTW33N10E - аналоги и даташиты транзистора

 

MTW33N10E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTW33N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 678 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW33N10E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW33N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  motorola
 mtw33n10e.pdf pdf_icon

MTW33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW33N10E/DDesigner's Data SheetTMOS E FET.MTW33N10EPower Field Effect TransistorMotorola Preferred DeviceTO 247 with Isolated Mounting HoleN-Channel Enhancement-Mode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. T

 0.1. Size:227K  motorola
 mtw33n10erev0.pdf pdf_icon

MTW33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW33N10E/DDesigner's Data SheetTMOS E FET.MTW33N10EPower Field Effect TransistorMotorola Preferred DeviceTO 247 with Isolated Mounting HoleN-Channel Enhancement-Mode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS E-FET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. T

Другие MOSFET... MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , 5N65 , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL .

History: MTW4N80E

 

 
Back to Top

 


 
.