MTW33N10E - описание и поиск аналогов

 

MTW33N10E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW33N10E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 678 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW33N10E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW33N10E даташит

 ..1. Size:145K  motorola
 mtw33n10e.pdf pdf_icon

MTW33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW33N10E/D Designer's Data Sheet TMOS E FET. MTW33N10E Power Field Effect Transistor Motorola Preferred Device TO 247 with Isolated Mounting Hole N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E-FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. T

 0.1. Size:227K  motorola
 mtw33n10erev0.pdf pdf_icon

MTW33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW33N10E/D Designer's Data Sheet TMOS E FET. MTW33N10E Power Field Effect Transistor Motorola Preferred Device TO 247 with Isolated Mounting Hole N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E-FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. T

Другие MOSFET... MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , 5N65 , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL .

History: MTB20N06KJ3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.