MTW35N15E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW35N15E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 855 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW35N15E datasheet
mtw35n15e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW35N15E/D Designer's Data Sheet MTW35N15E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.05 OHM energy in t
mtw35n15erev3.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW35N15E/D Designer's Data Sheet MTW35N15E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.05 OHM energy in t
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