MTW35N15E Todos los transistores

 

MTW35N15E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW35N15E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 855 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

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MTW35N15E Datasheet (PDF)

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MTW35N15E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW35N15E/DDesigner's Data SheetMTW35N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.05 OHMenergy in t

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MTW35N15E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW35N15E/DDesigner's Data SheetMTW35N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.05 OHMenergy in t

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History: FJ4B0110 | CHM5506JGP | STU70N2LH5 | PMCXB900UE | OSG60R099HSZF | APM2309AC | RSS090P03FU6TB

 

 
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