MTW35N15E - описание и поиск аналогов

 

MTW35N15E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW35N15E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 855 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW35N15E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW35N15E даташит

 ..1. Size:106K  motorola
 mtw35n15e.pdf pdf_icon

MTW35N15E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW35N15E/D Designer's Data Sheet MTW35N15E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.05 OHM energy in t

 0.1. Size:169K  motorola
 mtw35n15erev3.pdf pdf_icon

MTW35N15E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW35N15E/D Designer's Data Sheet MTW35N15E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.05 OHM energy in t

Другие MOSFET... MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , IRF1010E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G .

History: IRLML6401GPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.