MTW35N15E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTW35N15E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 855 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW35N15E
MTW35N15E Datasheet (PDF)
mtw35n15e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW35N15E/DDesigner's Data SheetMTW35N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.05 OHMenergy in t
mtw35n15erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW35N15E/DDesigner's Data SheetMTW35N15ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES 150 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.05 OHMenergy in t
Другие MOSFET... MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , IRF530 , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G .
History: BRCS4292SC | BLF7G20LS-140P | FQNL1N50BTA
History: BRCS4292SC | BLF7G20LS-140P | FQNL1N50BTA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024