MTW45N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW45N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 234 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MTW45N10E MOSFET
MTW45N10E Datasheet (PDF)
mtw45n10e.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in
mtw45n10erev2.pdf
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