MTW45N10E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTW45N10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 234 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW45N10E
MTW45N10E Datasheet (PDF)
mtw45n10e.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in
mtw45n10erev2.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in
Другие MOSFET... MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , AON7506 , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L .
History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6
History: SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219