MTW45N10E - аналоги и даташиты транзистора

 

MTW45N10E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTW45N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 234 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW45N10E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW45N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  motorola
 mtw45n10e.pdf pdf_icon

MTW45N10E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in

 0.1. Size:155K  motorola
 mtw45n10erev2.pdf pdf_icon

MTW45N10E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in

Другие MOSFET... MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , IRF1407 , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L .

History: GWM13S65YRE | OSG60R380DTF | KNP6165B | SRT10N130H | KNP6165A | AO7404 | SIR418DP

 

 
Back to Top

 


 
.