MTW45N10E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTW45N10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
trⓘ - Время нарастания: 234 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
MTW45N10E Datasheet (PDF)
mtw45n10e.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in
mtw45n10erev2.pdf
MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW45N10E/DDesigner's Data SheetMTW45N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 45 AMPERES 100 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.035 OHMenergy in
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HTD090N03
History: HTD090N03
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918