MTW6N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW6N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247AE
Búsqueda de reemplazo de MTW6N60E MOSFET
MTW6N60E Datasheet (PDF)
mtw6n100e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW6N100E/DDesigner's Data SheetMTW6N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 6.0 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.5 OHMscheme to prov
mtw6n100erev3.pdf
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History: IPD80R450P7 | WMO11N65SR | SWMN4N65DD | FHF5N60A | TK39J60W5 | VS8068AD | L2N60D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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