MTW6N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW6N60E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW6N60E datasheet
mtw6n100e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW6N100E/D Designer's Data Sheet MTW6N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.5 OHM scheme to prov
mtw6n100erev3.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW6N100E/D Designer's Data Sheet MTW6N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.5 OHM scheme to prov
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