MTW6N60E - описание и поиск аналогов

 

MTW6N60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW6N60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW6N60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW6N60E даташит

 ..1. Size:73K  motorola
 mtw6n60e.pdf pdf_icon

MTW6N60E

 9.1. Size:170K  motorola
 mtw6n100e.pdf pdf_icon

MTW6N60E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW6N100E/D Designer's Data Sheet MTW6N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.5 OHM scheme to prov

 9.2. Size:195K  motorola
 mtw6n100erev3.pdf pdf_icon

MTW6N60E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW6N100E/D Designer's Data Sheet MTW6N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 6.0 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.5 OHM scheme to prov

Другие MOSFET... MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , IRF530 , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.