Справочник MOSFET. MTW6N60E

 

MTW6N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW6N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW6N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW6N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  motorola
 mtw6n60e.pdf pdf_icon

MTW6N60E

 9.1. Size:170K  motorola
 mtw6n100e.pdf pdf_icon

MTW6N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW6N100E/DDesigner's Data SheetMTW6N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 6.0 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.5 OHMscheme to prov

 9.2. Size:195K  motorola
 mtw6n100erev3.pdf pdf_icon

MTW6N60E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW6N100E/DDesigner's Data SheetMTW6N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 6.0 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.5 OHMscheme to prov

Другие MOSFET... MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , AO4407 , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L .

History: PB554DY | 2SK1455 | TK10S04K3L | AP30T10GH-HF | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.