MTW7N80E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTW7N80E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO-247AE
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MTW7N80E datasheet
mtw7n80e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW7N80E/D Designer's Data Sheet MTW7N80E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 7.0 AMPERES 800 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.0 OHM scheme to provide
mtw7n80erev3.pdf
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History: TPC6003
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