MTW7N80E Todos los transistores

 

MTW7N80E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTW7N80E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AE
 

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MTW7N80E Datasheet (PDF)

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MTW7N80E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide

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MTW7N80E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide

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History: FQD5N40TM | AON6458 | FIR18N20G | AON6572 | TF2305B | CEP6186 | IPD06N03LBG

 

 
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