MTW7N80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTW7N80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW7N80E
MTW7N80E Datasheet (PDF)
mtw7n80e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide
mtw7n80erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide
Другие MOSFET... MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , IRLB4132 , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G .
History: CEM9926 | BUK954R4-40B
History: CEM9926 | BUK954R4-40B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent