MTW7N80E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTW7N80E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
MTW7N80E Datasheet (PDF)
mtw7n80e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide
mtw7n80erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW7N80E/DDesigner's Data SheetMTW7N80ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 With Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 7.0 AMPERES800 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.0 OHMscheme to provide
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918