MTW7N80E - описание и поиск аналогов

 

MTW7N80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW7N80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW7N80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW7N80E даташит

 ..1. Size:140K  motorola
 mtw7n80e.pdf pdf_icon

MTW7N80E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW7N80E/D Designer's Data Sheet MTW7N80E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 7.0 AMPERES 800 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.0 OHM scheme to provide

 0.1. Size:220K  motorola
 mtw7n80erev3.pdf pdf_icon

MTW7N80E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW7N80E/D Designer's Data Sheet MTW7N80E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 With Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 7.0 AMPERES 800 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.0 OHM scheme to provide

Другие MOSFET... MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , CS150N03A8 , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.