MTY100N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTY100N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 270 nC
Tiempo de subida (tr): 490 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTY100N10E
MTY100N10E Datasheet (PDF)
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MTY100N10EPreferred DevicePower MOSFET100 Amps, 100 VoltsN-Channel TO-264This advanced Power MOSFET is designed to withstand highenergy in the avalanche and commutation modes. This new energyhttp://onsemi.comefficient design also offers a drain-to-source diode with fast recoverytime. Designed for high voltage, high speed switching applications in100 AMPERESpower supplies,
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