MTY100N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTY100N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 490 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: TO-264
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MTY100N10E datasheet
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MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTY100N10E/D Designer's Data Sheet MTY100N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 100 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy 100 VOLTS
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MTY100N10E Preferred Device Power MOSFET 100 Amps, 100 Volts N-Channel TO-264 This advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy http //onsemi.com efficient design also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in 100 AMPERES power supplies,
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History: MTW33N10E | MTB20N06KJ3
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