MTY100N10E Todos los transistores

 

MTY100N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTY100N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 490 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264

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MTY100N10E Datasheet (PDF)

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 ..2. Size:207K  onsemi
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MTY100N10E
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MTY100N10EPreferred DevicePower MOSFET100 Amps, 100 VoltsN-Channel TO-264This advanced Power MOSFET is designed to withstand highenergy in the avalanche and commutation modes. This new energyhttp://onsemi.comefficient design also offers a drain-to-source diode with fast recoverytime. Designed for high voltage, high speed switching applications in100 AMPERESpower supplies,

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