Справочник MOSFET. MTY100N10E

 

MTY100N10E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTY100N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 490 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTY100N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  motorola
 mty100n10e.pdf pdf_icon

MTY100N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTY100N10E/DDesigner's Data SheetMTY100N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high100 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy100 VOLTS

 ..2. Size:207K  onsemi
 mty100n10e.pdf pdf_icon

MTY100N10E

MTY100N10EPreferred DevicePower MOSFET100 Amps, 100 VoltsN-Channel TO-264This advanced Power MOSFET is designed to withstand highenergy in the avalanche and commutation modes. This new energyhttp://onsemi.comefficient design also offers a drain-to-source diode with fast recoverytime. Designed for high voltage, high speed switching applications in100 AMPERESpower supplies,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N6758 | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | STB55NF06L | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.