MTY100N10E - описание и поиск аналогов

 

MTY100N10E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTY100N10E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 490 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-264

Аналог (замена) для MTY100N10E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTY100N10E даташит

 ..1. Size:185K  motorola
 mty100n10e.pdf pdf_icon

MTY100N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTY100N10E/D Designer's Data Sheet MTY100N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS power FET is designed to withstand high 100 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. This new energy 100 VOLTS

 ..2. Size:207K  onsemi
 mty100n10e.pdf pdf_icon

MTY100N10E

MTY100N10E Preferred Device Power MOSFET 100 Amps, 100 Volts N-Channel TO-264 This advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy http //onsemi.com efficient design also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in 100 AMPERES power supplies,

Другие MOSFET... MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , AON7506 , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL , MVSF2N02EL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.