MVMBF0201NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MVMBF0201NL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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MVMBF0201NL datasheet
mvmbf0201nl.pdf
MMBF0201NL, MVMBF0201NL Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 http //onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 300 mAMPS - 20 VOLTS minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are RDS(on) = 1 W dc-dc converters, power management in portable and battery-power
mmbf0201nl mvmbf0201nl.pdf
MMBF0201NL, MVMBF0201NL Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 www.onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 300 mAMPS - 20 VOLTS minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are RDS(on) = 1 W dc-dc converters, power management in portable and battery-powered
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History: AON4407
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