MVMBF0201NL Todos los transistores

 

MVMBF0201NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MVMBF0201NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MVMBF0201NL Datasheet (PDF)

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MVMBF0201NL

MMBF0201NL,MVMBF0201NLPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure300 mAMPS - 20 VOLTSminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications areRDS(on) = 1 Wdc-dc converters, power management in portable andbattery-power

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MVMBF0201NL

MMBF0201NL,MVMBF0201NLPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23www.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure300 mAMPS - 20 VOLTSminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications areRDS(on) = 1 Wdc-dc converters, power management in portable andbattery-powered

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History: NCEP023N10 | BL40N30L-W | AP10N6R0S | 2SK2739 | INK0001BM1 | AP0203GMT | CJQ7328

 

 
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