Справочник MOSFET. MVMBF0201NL

 

MVMBF0201NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MVMBF0201NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MVMBF0201NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVMBF0201NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  onsemi
 mvmbf0201nl.pdf pdf_icon

MVMBF0201NL

MMBF0201NL,MVMBF0201NLPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23http://onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure300 mAMPS - 20 VOLTSminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications areRDS(on) = 1 Wdc-dc converters, power management in portable andbattery-power

 ..2. Size:164K  onsemi
 mmbf0201nl mvmbf0201nl.pdf pdf_icon

MVMBF0201NL

MMBF0201NL,MVMBF0201NLPower MOSFET300 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23www.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure300 mAMPS - 20 VOLTSminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in small power management circuitry. Typical applications areRDS(on) = 1 Wdc-dc converters, power management in portable andbattery-powered

Другие MOSFET... MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , STF13NM60N , MVSF2N02EL , MVSF2N02ELT1G , MX2N4091 , MX2N4092 , MX2N4093 , MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 .

History: QM07N60F | PHP79NQ08LT | TPCA8063-H | IXFL36N110P | LSD65R180GT | AP50WN1K5P | DH028N03

 

 
Back to Top

 


 
.