MVMBF0201NL - описание и поиск аналогов

 

MVMBF0201NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MVMBF0201NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MVMBF0201NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVMBF0201NL даташит

 ..1. Size:99K  onsemi
 mvmbf0201nl.pdf pdf_icon

MVMBF0201NL

MMBF0201NL, MVMBF0201NL Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 http //onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 300 mAMPS - 20 VOLTS minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are RDS(on) = 1 W dc-dc converters, power management in portable and battery-power

 ..2. Size:164K  onsemi
 mmbf0201nl mvmbf0201nl.pdf pdf_icon

MVMBF0201NL

MMBF0201NL, MVMBF0201NL Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 www.onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure 300 mAMPS - 20 VOLTS minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in small power management circuitry. Typical applications are RDS(on) = 1 W dc-dc converters, power management in portable and battery-powered

Другие MOSFET... MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , IRFP250 , MVSF2N02EL , MVSF2N02ELT1G , MX2N4091 , MX2N4092 , MX2N4093 , MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.