MVSF2N02ELT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MVSF2N02ELT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 3.5 nC
Tiempo de subida (tr): 95 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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MVSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)
mvsf2n02el mvsf2n02elt1g.pdf
MGSF2N02EL,MVSF2N02ELPower MOSFET2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry.2.8 A, 20 VFeaturesRDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf
MGSF2N02EL,MVSF2N02ELMOSFET N-Channel,SOT-232.8 A, 20 Vwww.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal2.8 A, 20 Vfor use in space sensitive power management circuitry.RDS(on) = 85 mW (max)Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeN-Channel
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