Справочник MOSFET. MVSF2N02ELT1G

 

MVSF2N02ELT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MVSF2N02ELT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MVSF2N02ELT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 mvsf2n02el mvsf2n02elt1g.pdf pdf_icon

MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELPower MOSFET2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry.2.8 A, 20 VFeaturesRDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

 4.1. Size:118K  onsemi
 mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf pdf_icon

MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELMOSFET N-Channel,SOT-232.8 A, 20 Vwww.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal2.8 A, 20 Vfor use in space sensitive power management circuitry.RDS(on) = 85 mW (max)Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeN-Channel

Другие MOSFET... MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL , MVSF2N02EL , 5N65 , MX2N4091 , MX2N4092 , MX2N4093 , MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 .

History: CTLDM8120-M621H | TSJ10N10AT | HGN024N06SL | NCE0224AF | SM2205PSQG | BUK9535-100A

 

 
Back to Top

 


 
.