MVSF2N02ELT1G - описание и поиск аналогов

 

MVSF2N02ELT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MVSF2N02ELT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MVSF2N02ELT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVSF2N02ELT1G даташит

 ..1. Size:104K  onsemi
 mvsf2n02el mvsf2n02elt1g.pdf pdf_icon

MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL, MVSF2N02EL Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. 2.8 A, 20 V Features RDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

 4.1. Size:118K  onsemi
 mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf pdf_icon

MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL, MVSF2N02EL MOSFET N-Channel, SOT-23 2.8 A, 20 V www.onsemi.com These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal 2.8 A, 20 V for use in space sensitive power management circuitry. RDS(on) = 85 mW (max) Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life N-Channel

Другие MOSFET... MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL , MVSF2N02EL , 2SK3568 , MX2N4091 , MX2N4092 , MX2N4093 , MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 .

History: JMSL1040PGDQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.