Справочник MOSFET. MVSF2N02ELT1G

 

MVSF2N02ELT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MVSF2N02ELT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MVSF2N02ELT1G

 

 

MVSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  onsemi
 mvsf2n02el mvsf2n02elt1g.pdf

MVSF2N02ELT1G MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELPower MOSFET2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry.2.8 A, 20 VFeaturesRDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life

 4.1. Size:118K  onsemi
 mgsf2n02el mvsf2n02el.pdf

MVSF2N02ELT1G MVSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELMOSFET N-Channel,SOT-232.8 A, 20 Vwww.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal2.8 A, 20 Vfor use in space sensitive power management circuitry.RDS(on) = 85 mW (max)Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeN-Channel

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top