MX2N5115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MX2N5115
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-18

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MX2N5115

MX2N5115 Datasheet (PDF)

..1. Size:43K microsemi
mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV EquivalentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test C

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: