Справочник MOSFET. MX2N5115

 

MX2N5115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MX2N5115
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO-18
 

 Аналог (замена) для MX2N5115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MX2N5115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  microsemi
 mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf pdf_icon

MX2N5115

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV EquivalentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test C

Другие MOSFET... MX2N4093 , MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , AON6380 , MX2N5116 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 .

History: ME2602-G

 

 
Back to Top

 


 
.