MX2N5116 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MX2N5116
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 175 Ohm
Encapsulados: TO-18
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MX2N5116 datasheet
mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV Equivalent ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test C
Otros transistores... MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , MX2N5115 , 2N60 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L .
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