MX2N5116 Todos los transistores

 

MX2N5116 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MX2N5116
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-18
 

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MX2N5116 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  microsemi
 mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf pdf_icon

MX2N5116

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV EquivalentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test C

Otros transistores... MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , MX2N5115 , IRF830 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L .

History: IRF7526D1PBF | TPC8210 | JY09M

 

 
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