MX2N5116 - описание и поиск аналогов

 

MX2N5116. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MX2N5116

Тип транзистора: JFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 200 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 175 Ohm

Тип корпуса: TO-18

Аналог (замена) для MX2N5116

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MX2N5116 даташит

 ..1. Size:43K  microsemi
 mx2n5114 mx2n5115 mx2n5116.pdf pdf_icon

MX2N5116

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Website http //www.microsemi.com P-CHANNEL J-FET Equivalent To MIL-PRF-19500/476 DEVICES LEVELS 2N5114 MQ = JAN Equivalent 2N5115 MX = JANTX Equivalent 2N5116 MV = JANTXV Equivalent ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25 C unless otherwise noted) Parameters / Test C

Другие MOSFET... MX2N4856 , MX2N4857 , MX2N4858 , MX2N4859 , MX2N4860 , MX2N4861 , MX2N5114 , MX2N5115 , 2N60 , MTP3N45 , MTP3N50 , MTM3N75 , MTM3N80 , 125N10T , 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L .

History: 2SK633

 

 

 

 

↑ Back to Top
.