2SK610 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Encapsulados: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK610 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SK610 datasheet
2sk610.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK610 FEATURES Drain Current I =3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 400V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION High Voltage. High speed power switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol
2sk615.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK615 2SK615 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 Features 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL Easy automatic- /manual-insertion due to M type package. Self-fix- 0.85 ing to printed circuits board. 0.55 0.1 0.45 0.05 3 2 1 Absolute Maximu
Otros transistores... 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , EMB04N03H , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 , 2SK627 , 2SK629 , 2SK630 , 2SK631 , 2SK632 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260
