SPD22N08S2L-50 Todos los transistores

 

SPD22N08S2L-50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPD22N08S2L-50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SPD22N08S2L-50 Datasheet (PDF)

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SPD22N08S2L-50

SPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 75 V N-ChannelRDS(on) 50 m Enhancement modeID 25 A Logic LevelP- TO252 -3-11 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S60622N08L50Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Otros transistores... IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , K4145 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 .

History: HYG110P04LQ2U | IVN5000AND | FHP7N60A

 

 
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