SPD22N08S2L-50 Todos los transistores

 

SPD22N08S2L-50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPD22N08S2L-50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO252

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SPD22N08S2L-50 datasheet

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SPD22N08S2L-50

SPD22N08S2L-50 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) 50 m Enhancement mode ID 25 A Logic Level P- TO252 -3-11 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S6062 2N08L50 Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Otros transistores... IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , 2N7002 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 .

History: DMT6009LCT | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | 2SK3115 | IPA037N08N3 | ME2345A

 

 

 

 

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