SPD22N08S2L-50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD22N08S2L-50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: TO252
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SPD22N08S2L-50 datasheet
spd22n08s2l-50.pdf
SPD22N08S2L-50 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 75 V N-Channel RDS(on) 50 m Enhancement mode ID 25 A Logic Level P- TO252 -3-11 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S6062 2N08L50 Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified
Otros transistores... IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , 2N7002 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 .
History: DMT6009LCT | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | 2SK3115 | IPA037N08N3 | ME2345A
History: DMT6009LCT | DMTH10H010SCT | AGM403DG | IRLU120 | 2SK3115 | IPA037N08N3 | ME2345A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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