SPD22N08S2L-50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD22N08S2L-50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SPD22N08S2L-50 MOSFET
SPD22N08S2L-50 Datasheet (PDF)
spd22n08s2l-50.pdf

SPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 75 V N-ChannelRDS(on) 50 m Enhancement modeID 25 A Logic LevelP- TO252 -3-11 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S60622N08L50Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified
Otros transistores... IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , K4145 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 .
History: SWHA80N06V1 | RF1S40N10 | SSF6816 | HRS90N75K | TK8A60DA | IRL1104S | SSF7609
History: SWHA80N06V1 | RF1S40N10 | SSF6816 | HRS90N75K | TK8A60DA | IRL1104S | SSF7609



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550