SPD22N08S2L-50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPD22N08S2L-50
Маркировка: 2N08L50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SPD22N08S2L-50
SPD22N08S2L-50 Datasheet (PDF)
spd22n08s2l-50.pdf
SPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 75 V N-ChannelRDS(on) 50 m Enhancement modeID 25 A Logic LevelP- TO252 -3-11 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S60622N08L50Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918