Справочник MOSFET. SPD22N08S2L-50

 

SPD22N08S2L-50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPD22N08S2L-50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD22N08S2L-50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD22N08S2L-50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  infineon
 spd22n08s2l-50.pdf pdf_icon

SPD22N08S2L-50

SPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 75 V N-ChannelRDS(on) 50 m Enhancement modeID 25 A Logic LevelP- TO252 -3-11 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD22N08S2L-50 P- TO252 -3-11 Q67060-S60622N08L50Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified

Другие MOSFET... IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , K4145 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 .

History: LS4117

 

 
Back to Top

 


 
.