SPN02N60C3 Todos los transistores

 

SPN02N60C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPN02N60C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de SPN02N60C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPN02N60C3 datasheet

 ..1. Size:256K  infineon
 spn02n60c3.pdf pdf_icon

SPN02N60C3

SPN02N60C3 Rev. 2.1 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 3 New revolutionary high voltage technology ID 0.4 A Ultra low gate charge SOT223 Extreme dv/dt rated 4 Ultra low effective capacitances 3 2 1 VPS05163 Type Package Ordering Code Marking SPN02N60C3 SOT223 Q67040-S4553 02N60C3 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit A C

Otros transistores... SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , IRF4905 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 .

History: SCT3080KLHR | FCPF165N65S3L1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.