SPN02N60C3 Todos los transistores

 

SPN02N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN02N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SPN02N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  infineon
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SPN02N60C3

SPN02N60C3Rev. 2.1Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 3 New revolutionary high voltage technologyID 0.4 A Ultra low gate chargeSOT223 Extreme dv/dt rated4 Ultra low effective capacitances321 VPS05163Type Package Ordering Code MarkingSPN02N60C3 SOT223 Q67040-S4553 02N60C3Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitAC

Otros transistores... SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , IRF4905 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 .

History: SST80R600S2 | STM4808 | SSG4902N | WMM28N65C4 | KP821A

 

 
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