SPN02N60C3 - описание и поиск аналогов

 

SPN02N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN02N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SPN02N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN02N60C3 даташит

 ..1. Size:256K  infineon
 spn02n60c3.pdf pdf_icon

SPN02N60C3

SPN02N60C3 Rev. 2.1 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 3 New revolutionary high voltage technology ID 0.4 A Ultra low gate charge SOT223 Extreme dv/dt rated 4 Ultra low effective capacitances 3 2 1 VPS05163 Type Package Ordering Code Marking SPN02N60C3 SOT223 Q67040-S4553 02N60C3 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit A C

Другие MOSFET... SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , IRF4905 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 .

History: WMM80R350S | IRLU3636PBF | CS8N80A8D | AOD2606

 

 

 

 

↑ Back to Top
.