G1003 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G1003
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm
Encapsulados: SOT-23-3L
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G1003 datasheet
g1003.pdf
G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be D used in a wide variety of applications. G General Features V = 100V,I = 5A DS D m RDS(ON)
g1003a.pdf
GOFORD G1003A Description The G1003A uses advanced trench technology and D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. G General Features VDSS RDS(ON) ID S @ 10V (typ) Schematic diagram 5A m 100V 135 High density cell design fo
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History: CM1N70 | SL3134K
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Liste
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