G1003 - описание и поиск аналогов

 

G1003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1003

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для G1003

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1003 даташит

 ..1. Size:658K  gfd
 g1003.pdf pdf_icon

G1003

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be D used in a wide variety of applications. G General Features V = 100V,I = 5A DS D m RDS(ON)

 0.1. Size:2145K  goford
 g1003a.pdf pdf_icon

G1003

GOFORD G1003A Description The G1003A uses advanced trench technology and D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected. It is ESD protected. G General Features VDSS RDS(ON) ID S @ 10V (typ) Schematic diagram 5A m 100V 135 High density cell design fo

Другие MOSFET... SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , 12N60 , G1818 , G2002L , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 .

History: STM6966 | RU8590S | NTTFS4824NTAG | CM2N60C | 2SK3870-01 | NTTFS4937NTAG | SLD65R380E7C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.