Справочник MOSFET. G1003

 

G1003 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1003
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1003 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  gfd
 g1003.pdf pdf_icon

G1003

G1003 Description The G1003 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be Dused in a wide variety of applications. GGeneral Features V = 100V,I = 5A DS DmRDS(ON)

 0.1. Size:2145K  goford
 g1003a.pdf pdf_icon

G1003

GOFORDG1003ADescription The G1003A uses advanced trench technology and Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. It is ESD protected. It is ESD protected.It is ESD protected.GGeneral Features VDSS RDS(ON) IDS @10V (typ)Schematic diagram 5Am100V 135 High density cell design fo

Другие MOSFET... SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , 4N60 , G1818 , G2002L , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 .

 

 
Back to Top

 


 
.