G1818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G1818
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1818

G1818 Datasheet (PDF)

..1. Size:1888K gfd
g1818.pdf

G1818 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION DThe G1818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -20V,ID = -2.6A RDS(ON) = 70 m @ VGS=-2.5V ( Typ)

0.1. Size:181K renesas
rej03g1818 rjl6015dpkds.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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