G1818 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G1818
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.9 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G1818

G1818 Datasheet (PDF)

..1. Size:1888K gfd
g1818.pdf

G1818 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION DThe G1818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -20V,ID = -2.6A RDS(ON) = 70 m @ VGS=-2.5V ( Typ)

0.1. Size:181K renesas
rej03g1818 rjl6015dpkds.pdf

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