G1818 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: G1818
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.3 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
G1818 Datasheet (PDF)
g1818.pdf
G1818 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION DThe G1818 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = -20V,ID = -2.6A RDS(ON) = 70 m @ VGS=-2.5V ( Typ)
rej03g1818 rjl6015dpkds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
