G2002L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G2002L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Encapsulados: SOT-23-3L
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G2002L datasheet
g2002l.pdf
G2002L Description uses advanced trench technology and The G2002L D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. G General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R
g2002.pdf
GOFORD G2002 D Description The G2002 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr
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