G2002L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G2002L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-3L
Búsqueda de reemplazo de G2002L MOSFET
G2002L Datasheet (PDF)
g2002l.pdf

G2002LDescription uses advanced trench technology and The G2002L Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R
g2002.pdf

GOFORDG2002DDescription The G2002 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr
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History: BL18N20-U | BRD65R280C | APT10026L2FL | IRF8910 | 2N5911 | WM02P06G | BLM3400
History: BL18N20-U | BRD65R280C | APT10026L2FL | IRF8910 | 2N5911 | WM02P06G | BLM3400



Liste
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