G2002L Todos los transistores

 

G2002L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2002L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3L
 

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G2002L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1473K  gfd
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G2002L

G2002LDescription uses advanced trench technology and The G2002L Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R

 9.1. Size:1933K  goford
 g2002.pdf pdf_icon

G2002L

GOFORDG2002DDescription The G2002 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr

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History: MSAEZ50N10A | IRF7905 | NTD2955T4G | MI4800 | WMK16N65SR | SRM12N65TC | SPTA65R160

 

 
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