Справочник MOSFET. G2002L

 

G2002L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2002L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для G2002L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2002L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1473K  gfd
 g2002l.pdf pdf_icon

G2002L

G2002LDescription uses advanced trench technology and The G2002L Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram R

 9.1. Size:1933K  goford
 g2002.pdf pdf_icon

G2002L

GOFORDG2002DDescription The G2002 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ)520m 200V 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curr

Другие MOSFET... SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , G1003 , G1818 , IRF530 , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , GKI04076 , GKI04101 .

History: WML07N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.