GP1M003A090XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP1M003A090XX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP1M003A090XX
GP1M003A090XX Datasheet (PDF)
gp1m003a090xx.pdf
GP1M003A090C GP1M003A090PH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A
gp1m003a080xx.pdf
GP1M003A080H/ GP1M003A080FGP1M003A080HH/ GP1M003A080FHVDSS = 880 V @TjmaxFeaturesID = 3A Low gate chargeRDS(ON) = 4.2 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M003A080H/ GP1M003A080F TO-220 / TO-220F GP1M003A080H/ GP1M003A080F
gp1m003a050hg-fg.pdf
GP1M003A050HGGP1M003A050FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 2.5A
gp1m003a050xg.pdf
GP1M003A050CG GP1M003A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A
gp1m003a080xg.pdf
GP1M003A080CG GP1M003A080PG Features VDSS = 880 V @Tjmax Low gate charge ID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M003A080CH/GP1M003A080PH D-PAK/I-PAK GP1M003A080CH/GP1M003A080PH Halog
gp1m003a040xg.pdf
GP1M003A040CG GP1M003A040PG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D-PAK I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M003A040CG D-PAK GP1M003A040CG RoHS
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