GP1M003A090XX Todos los transistores

 

GP1M003A090XX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M003A090XX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.1 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-251

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GP1M003A090XX datasheet

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GP1M003A090XX

GP1M003A090C GP1M003A090PH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

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GP1M003A090XX

GP1M003A080H/ GP1M003A080F GP1M003A080HH/ GP1M003A080FH VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M003A080H/ GP1M003A080F TO-220 / TO-220F GP1M003A080H/ GP1M003A080F

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GP1M003A090XX

GP1M003A050HG GP1M003A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

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GP1M003A090XX

GP1M003A050CG GP1M003A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

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