GP1M008A050XG Todos los transistores

 

GP1M008A050XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M008A050XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
 

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GP1M008A050XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  globalpower
 gp1m008a050xg.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 2.1. Size:384K  globalpower
 gp1m008a050xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A050HGGP1M008A050FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 8A

 5.1. Size:1382K  globalpower
 gp1m008a080xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A080HGP1M008A080FHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested800V 8A

 5.2. Size:381K  globalpower
 gp1m008a025xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A025HGGP1M008A025FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested250V 8A

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History: IXFH6N120P | 2SK369 | 2SK1203 | SM4842NSK | AOD380A60C | SVS60R190DD4TR | RSQ035P03TR

 

 
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