GP1M008A050XG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M008A050XG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-251

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GP1M008A050XG datasheet

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GP1M008A050XG

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

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GP1M008A050XG

GP1M008A050HG GP1M008A050FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

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GP1M008A050XG

GP1M008A080H GP1M008A080FH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

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GP1M008A050XG

GP1M008A025HG GP1M008A025FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

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