GP1M008A050XG - описание и поиск аналогов

 

GP1M008A050XG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GP1M008A050XG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP1M008A050XG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M008A050XG даташит

 ..1. Size:502K  globalpower
 gp1m008a050xg.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 2.1. Size:384K  globalpower
 gp1m008a050xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A050HG GP1M008A050FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 5.1. Size:1382K  globalpower
 gp1m008a080xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A080H GP1M008A080FH N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

 5.2. Size:381K  globalpower
 gp1m008a025xx.pdf pdf_icon

GP1M008A050XG

GP1M008A025HG GP1M008A025FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M005A050XX , GP1M005A050XXX , GP1M006A065XH , GP1M006A065XX , GP1M006A070XX , GP1M007A065XX , GP1M007A090XX , GP1M008A025XX , IRFP064N , GP1M008A050XX , GP1M008A080XX , GP1M009A020XG , GP1M009A020XX , GP1M009A050XXX , GP1M009A060XX , GP1M009A070X , GP1M009A090N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.