GP1M009A020XG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M009A020XG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-252 TO-251

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GP1M009A020XG datasheet

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GP1M009A020XG

GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

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GP1M009A020XG

GP1M009A020HG GP1M009A020FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

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GP1M009A020XG

GP1M009A090H GP1M009A090FH VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9A Low gate charge RDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHS GP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen Free Absolute M

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GP1M009A020XG

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

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