Справочник MOSFET. GP1M009A020XG

 

GP1M009A020XG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M009A020XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M009A020XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:503K  globalpower
 gp1m009a020xg.pdf pdf_icon

GP1M009A020XG

GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

 2.1. Size:405K  globalpower
 gp1m009a020xx.pdf pdf_icon

GP1M009A020XG

GP1M009A020HGGP1M009A020FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 9A

 5.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A020XG

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.2. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A020XG

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM3415 | NCEP080N12G | IRC330 | R6524KNX | P0270ATFS | 2SJ569LS | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.