GP1M010A060XX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP1M010A060XX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 36 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Búsqueda de reemplazo de GP1M010A060XX MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
GP1M010A060XX datasheet
gp1m010a060xx.pdf
GP1M010A060H GP1M010A060FH VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 0.75 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A060H TO-220 GP1M010A060H RoHS GP1M010A060FH TO-220F GP1M010A060FH Halogen Free Absolute
gp1m010a080n.pdf
GP1M010A080N VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A080N TO-3P GP1M010A080N RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V
gp1m010a080xx.pdf
GP1M010A080H GP1M010A080FH VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A080H TO-220 GP1M010A080H RoHS GP1M010A080FH TO-220F GP1M010A080FH Halogen Free Absolut
gp1m013a050xx.pdf
GP1M013A050H GP1M013A050FH VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 13A Low gate charge RDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHS GP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen Free Absolute
Otros transistores... GP1M008A080XX, GP1M009A020XG, GP1M009A020XX, GP1M009A050XXX, GP1M009A060XX, GP1M009A070X, GP1M009A090N, GP1M009A090XX, 50N06, GP1M010A080N, GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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