GP1M010A060XX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M010A060XX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP1M010A060XX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M010A060XX даташит

 ..1. Size:387K  globalpower
gp1m010a060xx.pdfpdf_icon

GP1M010A060XX

GP1M010A060H GP1M010A060FH VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 0.75 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A060H TO-220 GP1M010A060H RoHS GP1M010A060FH TO-220F GP1M010A060FH Halogen Free Absolute

 5.1. Size:550K  globalpower
gp1m010a080n.pdfpdf_icon

GP1M010A060XX

GP1M010A080N VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A080N TO-3P GP1M010A080N RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V

 5.2. Size:408K  globalpower
gp1m010a080xx.pdfpdf_icon

GP1M010A060XX

GP1M010A080H GP1M010A080FH VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(ON) = 1.05 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M010A080H TO-220 GP1M010A080H RoHS GP1M010A080FH TO-220F GP1M010A080FH Halogen Free Absolut

 8.1. Size:389K  globalpower
gp1m013a050xx.pdfpdf_icon

GP1M010A060XX

GP1M013A050H GP1M013A050FH VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 13A Low gate charge RDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHS GP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen Free Absolute

Другие IGBT... GP1M008A080XX, GP1M009A020XG, GP1M009A020XX, GP1M009A050XXX, GP1M009A060XX, GP1M009A070X, GP1M009A090N, GP1M009A090XX, 50N06, GP1M010A080N, GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG