GP1M016A025XG Todos los transistores

 

GP1M016A025XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M016A025XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP1M016A025XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 2.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
Back to Top

 


 
.