GP1M016A025XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP1M016A025XG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 51 ns
Выходная емкость (Cd): 152 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-251
Аналог (замена) для GP1M016A025XG
GP1M016A025XG Datasheet (PDF)
gp1m016a025xg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
gp1m016a025xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A
gp1m016a060n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
gp1m016a060xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .