GP1M016A025XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M016A025XG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP1M016A025XG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M016A025XG даташит

 ..1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 2.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025HG GP1M016A025FG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060H GP1M016A060F(H) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1M010A060XX, GP1M010A080N, GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, IRFP260N, GP1M016A025XX, GP1M016A060N, GP1M016A060XX, GP1M018A020XG, GP1M018A020XX, GP1M020A050N, GP1M020A060M, GP1M020A060N