Справочник MOSFET. GP1M016A025XG

 

GP1M016A025XG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M016A025XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M016A025XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 2.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTB5412NT4G | IRF1704 | ZXMN10A25K | IRFSZ24 | MTP2071M3 | NCE3008Y | IRFP054N

 

 
Back to Top

 


 
.