GP1M016A025XG - аналоги и даташиты транзистора

 

GP1M016A025XG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GP1M016A025XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
 

 Аналог (замена) для GP1M016A025XG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M016A025XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 2.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XG

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M010A060XX , GP1M010A080N , GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , GP1M011A050XXX , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , IRFP260N , GP1M016A025XX , GP1M016A060N , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N .

History: NCE60ND45AG

 

 
Back to Top

 


 
.