GP1M016A060N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP1M016A060N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de GP1M016A060N MOSFET
GP1M016A060N Datasheet (PDF)
gp1m016a060n.pdf
GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
gp1m016a060xx.pdf
GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A
gp1m016a025xx.pdf
GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A
gp1m016a025xg.pdf
GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
Otros transistores... GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , GP1M011A050XXX , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , AON6414A , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N , GP1M023A050N , GP1T025A120B .
History: PD504BA | CS7N70F | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12
History: PD504BA | CS7N70F | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12
Liste
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