GP1M016A060N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M016A060N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

 Búsqueda de reemplazo de GP1M016A060N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GP1M016A060N datasheet

 ..1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 3.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060H GP1M016A060F(H) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025HG GP1M016A025FG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

 5.2. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG, GP1M016A025XX, IRFB4227, GP1M016A060XX, GP1M018A020XG, GP1M018A020XX, GP1M020A050N, GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N, GP1T025A120B