GP1M016A060N Todos los transistores

 

GP1M016A060N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M016A060N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
     - Selección de transistores por parámetros

 

GP1M016A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 3.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

 5.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.2. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

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History: BUK9K6R8-40E | S68N08ZRN | WPM4801 | RJK005N03T146 | UT20N03 | KRF7343 | FDMS3660AS

 

 
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