GP1M016A060N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP1M016A060N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP1M016A060N
GP1M016A060N Datasheet (PDF)
gp1m016a060n.pdf
GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
gp1m016a060xx.pdf
GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A
gp1m016a025xx.pdf
GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A
gp1m016a025xg.pdf
GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
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Liste
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