GP1M016A060N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GP1M016A060N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP1M016A060N
GP1M016A060N Datasheet (PDF)
gp1m016a060n.pdf
GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
gp1m016a060xx.pdf
GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A
gp1m016a025xx.pdf
GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A
gp1m016a025xg.pdf
GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A
Другие MOSFET... GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , GP1M011A050XXX , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , IRF3710 , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N , GP1M023A050N , GP1T025A120B .
History: AM2323P | IRF634NSPBF | STB170NF04 | STB190NF04 | AUIRFB4620 | STH80N10F7-2 | RJK6018DPM
History: AM2323P | IRF634NSPBF | STB170NF04 | STB190NF04 | AUIRFB4620 | STH80N10F7-2 | RJK6018DPM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor