GP1M016A060N datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP1M016A060N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M016A060N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP1M016A060N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:563K globalpower
gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

3.1. Size:391K globalpower
gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060H GP1M016A060F(H) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

5.1. Size:391K globalpower
gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025HG GP1M016A025FG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

5.2. Size:521K globalpower
gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A