Справочник MOSFET. GP1M016A060N

 

GP1M016A060N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP1M016A060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для GP1M016A060N

 

 

GP1M016A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf

GP1M016A060N GP1M016A060N

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 3.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf

GP1M016A060N GP1M016A060N

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

 5.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf

GP1M016A060N GP1M016A060N

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.2. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf

GP1M016A060N GP1M016A060N

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top