Справочник MOSFET. GP1M016A060N

 

GP1M016A060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M016A060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP1M016A060N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M016A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 3.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

 5.1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 5.2. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A060N

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , GP1M011A050XXX , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , AON6414A , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N , GP1M023A050N , GP1T025A120B .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.