GP1M020A050N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M020A050N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-3PN

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GP1M020A050N datasheet

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GP1M020A050N

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

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GP1M020A050N

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

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GP1M020A050N

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

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GP1M020A050N

GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

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