GP1M020A050N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GP1M020A050N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 296 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP1M020A050N

GP1M020A050N Datasheet (PDF)

..1. Size:541K globalpower
gp1m020a050n.pdf

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

5.1. Size:758K globalpower
gp1m020a060n.pdf

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

5.2. Size:688K globalpower
gp1m020a060m.pdf

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

8.1. Size:578K globalpower
gp1m023a050n.pdf