GP1M020A050N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1M020A050N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для GP1M020A050N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M020A050N даташит

 ..1. Size:541K  globalpower
 gp1m020a050n.pdf pdf_icon

GP1M020A050N

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 5.1. Size:758K  globalpower
 gp1m020a060n.pdf pdf_icon

GP1M020A050N

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

 5.2. Size:688K  globalpower
 gp1m020a060m.pdf pdf_icon

GP1M020A050N

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

 8.1. Size:578K  globalpower
 gp1m023a050n.pdf pdf_icon

GP1M020A050N

GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG, GP1M016A025XX, GP1M016A060N, GP1M016A060XX, GP1M018A020XG, GP1M018A020XX, IRFB4115, GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N, GP1T025A120B, GP1T036A060B, GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B