GP1T160A120B Todos los transistores

 

GP1T160A120B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1T160A120B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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GP1T160A120B Datasheet (PDF)

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GP1T160A120B

PRELIMINARYGP1T160A120BVDS 1200 VRDS,on 160mWID 16 A1200V SiC MOSFETTM TM TMAmp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

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History: CSD16570Q5B | AM7380N

 

 
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