GP1T160A120B Todos los transistores

 

GP1T160A120B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1T160A120B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GP1T160A120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  globalpower
 gp1t160a120b.pdf pdf_icon

GP1T160A120B

PRELIMINARYGP1T160A120BVDS 1200 VRDS,on 160mWID 16 A1200V SiC MOSFETTM TM TMAmp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

Otros transistores... GP1M020A060M , GP1M020A060N , GP1M023A050N , GP1T025A120B , GP1T036A060B , GP1T040A120B , GP1T072A060B , GP1T080A120B , IRFP260 , GP2M002A060XG , GP2M002A060XX , GP2M002A065XG , GP2M002A065XX , GP2M004A060XG , GP2M004A060XX , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX .

 

 
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