GP1T160A120B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1T160A120B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-247

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GP1T160A120B datasheet

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GP1T160A120B

PRELIMINARY GP1T160A120B VDS 1200 V RDS,on 160 mW ID 16 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

Otros transistores... GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N, GP1T025A120B, GP1T036A060B, GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B, 2SK3878, GP2M002A060XG, GP2M002A060XX, GP2M002A065XG, GP2M002A065XX, GP2M004A060XG, GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX