GP1T160A120B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP1T160A120B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для GP1T160A120B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1T160A120B даташит

 ..1. Size:421K  globalpower
 gp1t160a120b.pdf pdf_icon

GP1T160A120B

PRELIMINARY GP1T160A120B VDS 1200 V RDS,on 160 mW ID 16 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

Другие IGBT... GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N, GP1T025A120B, GP1T036A060B, GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B, 2SK3878, GP2M002A060XG, GP2M002A060XX, GP2M002A065XG, GP2M002A065XX, GP2M004A060XG, GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX