GP2M002A060XG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP2M002A060XG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de GP2M002A060XG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GP2M002A060XG datasheet

 ..1. Size:405K  globalpower
 gp2m002a060xg.pdf pdf_icon

GP2M002A060XG

GP2M002A060HG GP2M002A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 2.1. Size:505K  globalpower
 gp2m002a060xx.pdf pdf_icon

GP2M002A060XG

GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 4.1. Size:394K  globalpower
 gp2m002a065xx.pdf pdf_icon

GP2M002A060XG

GP2M002A065HG GP2M002A065FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 4.2. Size:499K  globalpower
 gp2m002a065xg.pdf pdf_icon

GP2M002A060XG

GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GP1M020A060N, GP1M023A050N, GP1T025A120B, GP1T036A060B, GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B, GP1T160A120B, STP75NF75, GP2M002A060XX, GP2M002A065XG, GP2M002A065XX, GP2M004A060XG, GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX, GP2M005A050XG