GP2M002A060XG Todos los transistores

 

GP2M002A060XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP2M002A060XG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

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GP2M002A060XG Datasheet (PDF)

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GP2M002A060XG

GP2M002A060HGGP2M002A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 2.0A

 2.1. Size:505K  globalpower
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GP2M002A060XG

GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

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GP2M002A060XG

GP2M002A065HGGP2M002A065FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 1.8A

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GP2M002A060XG

GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

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History: FQPF5N50CTTU | TPD50R3K8D | UTT6NP10L-TN4-R | NCE85H25T | RJK0329DPB | AP55T10GI-HF | 2SK2939L

 

 
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