GP2M002A060XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M002A060XG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP2M002A060XG
GP2M002A060XG Datasheet (PDF)
gp2m002a060xg.pdf
GP2M002A060HGGP2M002A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 2.0A
gp2m002a060xx.pdf
GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
gp2m002a065xx.pdf
GP2M002A065HGGP2M002A065FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 1.8A
gp2m002a065xg.pdf
GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100